Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQD063N15NM5ATMA1
IQD063N15NM5ATMA1

IQD063N15NM5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IQD063N15NM5_DataSheet_v02_00_EN-3367084.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.97 грн
10+254.26 грн
25+220.34 грн
100+192.42 грн
500+189.41 грн
1000+162.24 грн
2500+153.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQD063N15NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-9, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V.

Інші пропозиції IQD063N15NM5ATMA1 за ціною від 172.24 грн до 332.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IQD063N15NM5ATMA1 IQD063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQD063N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a46631b2a048b Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
на замовлення 4802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+329.78 грн
10+263.25 грн
100+214.58 грн
500+181.65 грн
1000+179.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd063n15nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.75 грн
10+269.76 грн
25+256.51 грн
100+219.54 грн
250+172.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd063n15nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+332.50 грн
43+290.51 грн
45+276.24 грн
100+236.42 грн
250+185.49 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd063n15nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd063n15nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5ATMA1 IQD063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQD063N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a46631b2a048b Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.