на замовлення 4640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 388.01 грн |
| 10+ | 260.59 грн |
| 100+ | 162.46 грн |
| 500+ | 158.27 грн |
| 1000+ | 156.18 грн |
| 5000+ | 147.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQD063N15NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-9, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V.
Інші пропозиції IQD063N15NM5ATMA1 за ціною від 161.00 грн до 407.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IQD063N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100VPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V |
на замовлення 4227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IQD063N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-channel Power MOSFET |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IQD063N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-channel Power MOSFET |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IQD063N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-channel Power MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
IQD063N15NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |