Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQD063N15NM5ATMA1
IQD063N15NM5ATMA1

IQD063N15NM5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IQD063N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a46631b2a048b Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.49 грн
10+230.63 грн
100+192.38 грн
500+173.79 грн
1000+171.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQD063N15NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-9, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V.

Інші пропозиції IQD063N15NM5ATMA1 за ціною від 150.61 грн до 362.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IQD063N15NM5ATMA1 IQD063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQD063N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.08 грн
10+249.98 грн
25+216.60 грн
100+188.65 грн
500+186.32 грн
1000+159.92 грн
2500+150.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd063n15nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+338.10 грн
43+295.40 грн
45+280.89 грн
100+240.40 грн
250+188.62 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd063n15nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+362.25 грн
10+316.50 грн
25+300.96 грн
100+257.57 грн
250+202.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd063n15nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd063n15nm5-datasheet-v02_00-en.pdf N-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5ATMA1 IQD063N15NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQD063N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a46631b2a048b Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.