IQD063N15NM5CGATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD063N15NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 148 A, 5100 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Технічний опис IQD063N15NM5CGATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IQD063N15NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 148 A, 5100 µohm, TTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 148A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IQD063N15NM5CGATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IQD063N15NM5CGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQD063N15NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 148 A, 5100 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 148A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IQD063N15NM5CGATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD063N15NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 148 A, 5100 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
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Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IQD063N15NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 148 A, 5100 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)