Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQD063N15NM5CGSCATMA1
IQD063N15NM5CGSCATMA1

IQD063N15NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IQD063N15NM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b78020eb6b3e Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+181.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQD063N15NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies

Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 9-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA, Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V.

Інші пропозиції IQD063N15NM5CGSCATMA1 за ціною від 171.88 грн до 349.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IQD063N15NM5CGSCATMA1 IQD063N15NM5CGSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQD063N15NM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b78020eb6b3e Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+329.52 грн
10+272.07 грн
100+225.09 грн
500+184.19 грн
1000+182.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5CGSCATMA1 IQD063N15NM5CGSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_09-04-2024_DS_IQD063N15NM5CGSC_2_0.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+349.12 грн
10+295.60 грн
25+253.98 грн
100+220.98 грн
500+197.20 грн
1000+171.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5CGSCATMA1 IQD063N15NM5CGSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd063n15nm5cgsc-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 14.4A 9-Pin WHTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQD063N15NM5CGSCATMA1 IQD063N15NM5CGSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqd063n15nm5cgsc-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 14.4A 9-Pin WHTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.