Технічний опис IQD063N15NM5SCATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQD063N15NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 151 A, 6320 µohm, WHSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 151A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, Verlustleistung: 333W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WHSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6320µohm.
Інші пропозиції IQD063N15NM5SCATMA1 за ціною від 187.88 грн до 458.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IQD063N15NM5SCATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 14.4A 8-Pin WHSON EP T/R |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IQD063N15NM5SCATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 14.4A 8-Pin WHSON EP T/R |
на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IQD063N15NM5SCATMA1 | Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V |
на замовлення 4425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IQD063N15NM5SCATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
на замовлення 4335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
IQD063N15NM5SCATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQD063N15NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 151 A, 6320 µohm, WHSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 151A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WHSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6320µohm |
на замовлення 4651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
IQD063N15NM5SCATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQD063N15NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 151 A, 6320 µohm, WHSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 151A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6320µohm |
на замовлення 4651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IQD063N15NM5SCATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 14.4A 8-Pin WHSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 14.4A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 259.39 грн |
| 10+ | 258.35 грн |
| 25+ | 257.32 грн |
| IQD063N15NM5SCATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 14.4A 8-Pin WHSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 14.4A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 120+ | 295.83 грн |
| 500+ | 280.51 грн |
| 1000+ | 264.01 грн |
| IQD063N15NM5SCATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.32mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
на замовлення 4425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 458.75 грн |
| 10+ | 296.54 грн |
| 100+ | 214.37 грн |
| 500+ | 187.88 грн |
| IQD063N15NM5SCATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 4335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IQD063N15NM5SCATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD063N15NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 151 A, 6320 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6320µohm
Description: INFINEON - IQD063N15NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 151 A, 6320 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6320µohm
на замовлення 4651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IQD063N15NM5SCATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD063N15NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 151 A, 6320 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6320µohm
Description: INFINEON - IQD063N15NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 151 A, 6320 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6320µohm
на замовлення 4651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)