IQDH29NE2LM5ATMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 3201 шт:

---

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	335.23 грн
10+	235.14 грн
25+	193.62 грн
100+	153.35 грн
250+	150.25 грн
500+	127.02 грн
1000+	120.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IQDH29NE2LM5ATMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції IQDH29NE2LM5ATMA1 за ціною від 120.39 грн до 273.12 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	IQDH29NE2LM5ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V	на замовлення 4826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна 2+ 273.12 грн 10+ 221.21 грн 100+ 179.00 грн 500+ 149.32 грн 1000+ 127.86 грн 2000+ 120.39 грн Мінімальне замовлення: 2 купити В кошику  од. на суму  грн.
	IQDH29NE2LM5ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V	товару немає в наявності	купити В кошику  од. на суму  грн.