IQDH29NE2LM5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQDH29NE2LM5ATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET, Type of transistor: N-MOSFET.
Інші пропозиції IQDH29NE2LM5ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IQDH29NE2LM5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IQDH29NE2LM5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 15V-30V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IQDH29NE2LM5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
IQDH29NE2LM5ATMA1 | Infineon Technologies |
N-channel Power MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
IQDH29NE2LM5ATMA1 | Infineon Technologies |
N-channel Power MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IQDH29NE2LM5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IQDH29NE2LM5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 15V-30V
MOSFETs IFX FET 15V-30V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IQDH29NE2LM5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IQDH29NE2LM5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
N-channel Power MOSFET
N-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IQDH29NE2LM5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
N-channel Power MOSFET
N-channel Power MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.