IQDH29NE2LM5ATMA1

IQDH29NE2LM5ATMA1 Infineon Technologies


Infineon_IQDH29NE2LM5_DataSheet_v02_00_EN-3367072.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3201 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+322.86 грн
10+226.46 грн
25+186.48 грн
100+147.69 грн
250+144.71 грн
500+122.33 грн
1000+116.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQDH29NE2LM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH .

Інші пропозиції IQDH29NE2LM5ATMA1 за ціною від 115.95 грн до 263.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IQDH29NE2LM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQDH29NE2LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4599a0e9027c Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
на замовлення 4826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.05 грн
10+213.06 грн
100+172.40 грн
500+143.82 грн
1000+123.14 грн
2000+115.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQDH29NE2LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4599a0e9027c Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.