Продукція > INFINEON > IQDH29NE2LM5CGATMA1
IQDH29NE2LM5CGATMA1

IQDH29NE2LM5CGATMA1 INFINEON

3983233.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm
на замовлення 4557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+143.90 грн
500+109.95 грн
1000+99.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQDH29NE2LM5CGATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 789A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 278W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm.

Інші пропозиції IQDH29NE2LM5CGATMA1 за ціною від 99.38 грн до 277.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IQDH29NE2LM5CGATMA1 IQDH29NE2LM5CGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQDH29NE2LM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188b3972c260838 Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.54 грн
10+150.50 грн
25+137.90 грн
100+116.38 грн
250+110.16 грн
500+106.42 грн
1000+101.64 грн
2500+100.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5CGATMA1 IQDH29NE2LM5CGATMA1 INFINEON 3983233.pdf Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm
на замовлення 4557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.66 грн
10+185.84 грн
100+143.90 грн
500+109.95 грн
1000+99.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5CGATMA1 IQDH29NE2LM5CGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IQDH29NE2LM5CG_DataSheet_v02_01_EN-3362687.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.11 грн
10+205.88 грн
25+162.81 грн
100+143.78 грн
250+135.33 грн
500+129.69 грн
1000+121.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5CGATMA1 Infineon-IQDH29NE2LM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188b3972c260838
IQDH29NE2LM5CGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.448mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.29mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta), 789A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+208.54 грн
10+150.50 грн
25+137.90 грн
100+116.38 грн
250+110.16 грн
500+106.42 грн
1000+101.64 грн
2500+100.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5CGATMA1 3983233.pdf
IQDH29NE2LM5CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 200µohm
на замовлення 4557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+223.66 грн
10+185.84 грн
100+143.90 грн
500+109.95 грн
1000+99.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5CGATMA1 Infineon_IQDH29NE2LM5CG_DataSheet_v02_01_EN-3362687.pdf
IQDH29NE2LM5CGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+277.11 грн
10+205.88 грн
25+162.81 грн
100+143.78 грн
250+135.33 грн
500+129.69 грн
1000+121.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.