Продукція > INFINEON > IQDH45N04LM6CGATMA1
IQDH45N04LM6CGATMA1

IQDH45N04LM6CGATMA1 INFINEON


3983235.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 524 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+219.24 грн
500+172.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQDH45N04LM6CGATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 637A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IQDH45N04LM6CGATMA1 за ціною від 120.16 грн до 296.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IQDH45N04LM6CGATMA1 IQDH45N04LM6CGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQDH45N04LM6CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188b3976ca1083e Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.51 грн
10+161.54 грн
25+148.07 грн
100+125.05 грн
250+120.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGATMA1 IQDH45N04LM6CGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IQDH45N04LM6CG_DataSheet_v02_01_EN-3362641.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 6412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.21 грн
10+193.01 грн
25+153.66 грн
100+138.74 грн
250+131.28 грн
500+126.81 грн
1000+123.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGATMA1 IQDH45N04LM6CGATMA1 Виробник : INFINEON 3983235.pdf Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 400 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+296.22 грн
10+266.93 грн
100+219.24 грн
500+172.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqdh45n04lm6cg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A 9-Pin TTFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQDH45N04LM6CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188b3976ca1083e IQDH45N04LM6CGATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGATMA1 IQDH45N04LM6CGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQDH45N04LM6CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188b3976ca1083e Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.