IQDH45N04LM6SCATMA1 Infineon Technologies


infineoniqdh45n04lm6scdatasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+177.74 грн
10+175.57 грн
25+173.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQDH45N04LM6SCATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 611A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 333W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WHSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm.

Інші пропозиції IQDH45N04LM6SCATMA1 за ціною від 173.49 грн до 177.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IQDH45N04LM6SCATMA1 IQDH45N04LM6SCATMA1 Infineon Technologies infineoniqdh45n04lm6scdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+177.74 грн
81+175.57 грн
82+173.49 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6SCATMA1 IQDH45N04LM6SCATMA1 Infineon Technologies Infineon_09-04-2024_DS_IQDH45N04LM6SC_2_1.pdf MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6SCATMA1 IQDH45N04LM6SCATMA1 INFINEON 4409633.pdf Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6SCATMA1 IQDH45N04LM6SCATMA1 INFINEON 4409633.pdf Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6SCATMA1 infineoniqdh45n04lm6scdatasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+177.74 грн
81+175.57 грн
82+173.49 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6SCATMA1 Infineon_09-04-2024_DS_IQDH45N04LM6SC_2_1.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6SCATMA1 4409633.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6SCATMA1 4409633.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.