на замовлення 4479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 321.37 грн |
| 10+ | 274.43 грн |
| 25+ | 236.33 грн |
| 100+ | 210.24 грн |
| 250+ | 202.57 грн |
| 500+ | 180.32 грн |
| 1000+ | 166.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQDH88N06LM5SCATMA1 Infineon Technologies
Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA, Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V.
Інші пропозиції IQDH88N06LM5SCATMA1 за ціною від 166.89 грн до 397.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IQDH88N06LM5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V |
на замовлення 4803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IQDH88N06LM5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 447A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |