IQE004NE1LM7ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQE004NE1LM7ATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH .
Інші пропозиції IQE004NE1LM7ATMA1 за ціною від 73.30 грн до 191.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IQE004NE1LM7ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-5 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Vgs (Max): ±7V Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IQE004NE1LM7ATMA1 | Infineon Technologies |
 MOSFET TRENCH <= 40V |
на замовлення 4908 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IQE004NE1LM7ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 187.92 грн |
| 10+ | 150.35 грн |
| 100+ | 119.63 грн |
| 500+ | 95.00 грн |
| 1000+ | 80.61 грн |
| 2000+ | 76.58 грн |
| IQE004NE1LM7ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 191.60 грн |
| 10+ | 156.44 грн |
| 100+ | 107.84 грн |
| 250+ | 99.38 грн |
| 500+ | 90.22 грн |
| 1000+ | 77.53 грн |
| 2500+ | 73.30 грн |