Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQE004NE1LM7CGATMA1
IQE004NE1LM7CGATMA1

IQE004NE1LM7CGATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IQE004NE1LM7CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8ada5435018ae4c205bf478b
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+79.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQE004NE1LM7CGATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH .

Інші пропозиції IQE004NE1LM7CGATMA1 за ціною від 73.30 грн до 191.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IQE004NE1LM7CGATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE004NE1LM7CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8ada5435018ae4c205bf478b Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.17 грн
10+146.68 грн
100+116.72 грн
500+92.68 грн
1000+78.64 грн
2000+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IQE004NE1LM7CG_DataSheet_v02_00_EN-3324404.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.60 грн
10+156.44 грн
100+107.84 грн
250+99.38 грн
500+90.22 грн
1000+77.53 грн
2500+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1 Infineon-IQE004NE1LM7CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8ada5435018ae4c205bf478b
IQE004NE1LM7CGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+183.17 грн
10+146.68 грн
100+116.72 грн
500+92.68 грн
1000+78.64 грн
2000+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1 Infineon_IQE004NE1LM7CG_DataSheet_v02_00_EN-3324404.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+191.60 грн
10+156.44 грн
100+107.84 грн
250+99.38 грн
500+90.22 грн
1000+77.53 грн
2500+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.