IQE004NE1LM7CGSCATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 99.76 грн |
| 500+ | 77.75 грн |
| 1000+ | 61.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQE004NE1LM7CGSCATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 15V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 379A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: WHTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 7V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IQE004NE1LM7CGSCATMA1 за ціною від 61.61 грн до 234.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Vgs (Max): ±7V Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V |
на замовлення 7847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 15V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 379A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: WHTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 7V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R |
на замовлення 402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R |
на замовлення 402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
на замовлення 4348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
TRENCH <= 40V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Vgs (Max): ±7V Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V |
товару немає в наявності |