IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 211.31 грн |
| 10+ | 166.49 грн |
| 25+ | 164.83 грн |
| 100+ | 141.53 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 15V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 379A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 89W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WHTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 7V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm.
Інші пропозиції IQE004NE1LM7CGSCATMA1 за ціною від 102.32 грн до 326.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 15V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 379A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 89W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WHTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 7V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm |
на замовлення 5956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 15V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 379A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 89W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WHTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 7V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm |
на замовлення 5956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IQE004NE1LM7CGSCATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 15V-30V |
на замовлення 360 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| IQE004NE1LM7CGSCATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 70+ | 211.31 грн |
| 88+ | 166.49 грн |
| 89+ | 164.83 грн |
| 100+ | 141.53 грн |
| IQE004NE1LM7CGSCATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
на замовлення 5956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IQE004NE1LM7CGSCATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
на замовлення 5956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IQE004NE1LM7CGSCATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 15V-30V
MOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 326.52 грн |
| 10+ | 211.98 грн |
| 100+ | 130.16 грн |
| 500+ | 109.09 грн |
| 2500+ | 105.33 грн |
| 6000+ | 102.32 грн |