IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4348 шт:

---

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	193.42 грн
10+	157.99 грн
100+	109.64 грн
250+	101.06 грн
500+	91.81 грн
1000+	78.6 грн
2500+	74.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції IQE004NE1LM7CGSCATMA1 за ціною від 123.24 грн до 237.46 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	IQE004NE1LM7CGSCATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Opti MOST M7 Power-Transistor, 15V	на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 3+ 220.5 грн 10+  203.42 грн 25+  199.42 грн 50+  186.2 грн 100+  151.81 грн 250+  143.16 грн 500+  123.24 грн Мінімальне замовлення: 3 купити
	IQE004NE1LM7CGSCATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Opti MOST M7 Power-Transistor, 15V	на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 50+ 237.46 грн 54+  219.07 грн 55+  214.76 грн 57+  200.52 грн 100+  163.48 грн 250+  154.18 грн 500+  132.72 грн Мінімальне замовлення: 50 купити
	IQE004NE1LM7CGSCATMA1	Виробник : Infineon Technologies	TRENCH <= 40V	товар відсутній	купити
	IQE004NE1LM7CGSCATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Vgs (Max): ±7V Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V	товар відсутній	купити
	IQE004NE1LM7CGSCATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V Vgs (Max): ±7V Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V	товар відсутній	купити