Продукція > INFINEON > IQE006NE2LM5ATMA1
IQE006NE2LM5ATMA1

IQE006NE2LM5ATMA1 INFINEON

3092712.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
на замовлення 9004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+83.13 грн
500+ 67.87 грн
1000+ 52.9 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQE006NE2LM5ATMA1 INFINEON

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V.

Інші пропозиції IQE006NE2LM5ATMA1 за ціною від 52.9 грн до 163.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IQE006NE2LM5ATMA1 IQE006NE2LM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IQE006NE2LM5_DataSheet_v02_01_EN-3362822.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.74 грн
10+ 110.56 грн
100+ 84.12 грн
250+ 83.45 грн
500+ 75.44 грн
1000+ 68.1 грн
5000+ 66.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
IQE006NE2LM5ATMA1 IQE006NE2LM5ATMA1 Виробник : INFINEON 3092712.pdf Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
на замовлення 9004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+137.8 грн
10+ 102.6 грн
100+ 83.13 грн
500+ 67.87 грн
1000+ 52.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
IQE006NE2LM5ATMA1 IQE006NE2LM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQE006NE2LM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8b08cb821aa4 Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
на замовлення 3904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.93 грн
10+ 131.02 грн
100+ 104.27 грн
500+ 82.79 грн
1000+ 70.25 грн
2000+ 66.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQE006NE2LM5ATMA1 IQE006NE2LM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQE006NE2LM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8b08cb821aa4 Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
товар відсутній