Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQE006NE2LM5ATMA1
IQE006NE2LM5ATMA1

IQE006NE2LM5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IQE006NE2LM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8b08cb821aa4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+72.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQE006NE2LM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 298A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 89W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm.

Інші пропозиції IQE006NE2LM5ATMA1 за ціною від 77.19 грн до 252.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IQE006NE2LM5ATMA1 IQE006NE2LM5ATMA1 Infineon Technologies infineoniqe006ne2lm5datasheetv0201en.pdf Keeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+98.07 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1 IQE006NE2LM5ATMA1 Infineon Technologies infineoniqe006ne2lm5datasheetv0201en.pdf Keeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.77 грн
10+115.89 грн
25+114.01 грн
100+108.14 грн
250+98.45 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1 IQE006NE2LM5ATMA1 Infineon Technologies infineoniqe006ne2lm5datasheetv0201en.pdf Keeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.77 грн
123+115.89 грн
125+114.01 грн
127+108.14 грн
250+98.45 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1 IQE006NE2LM5ATMA1 Infineon Technologies infineoniqe006ne2lm5datasheetv0201en.pdf Keeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance
на замовлення 575613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+171.28 грн
500+154.74 грн
1000+141.75 грн
10000+121.88 грн
100000+94.82 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1 IQE006NE2LM5ATMA1 Infineon Technologies infineoniqe006ne2lm5datasheetv0201en.pdf Keeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.79 грн
10+147.59 грн
100+111.47 грн
500+90.30 грн
1000+77.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1 IQE006NE2LM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE006NE2LM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8b08cb821aa4 Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
на замовлення 5335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.64 грн
10+153.24 грн
50+117.94 грн
100+100.03 грн
500+81.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1 IQE006NE2LM5ATMA1 Infineon Technologies infineoniqe006ne2lm5datasheetv0201en.pdf Keeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+252.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1 IQE006NE2LM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IQE006NE2LM5_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 13638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1 IQE006NE2LM5ATMA1 INFINEON 3092712.pdf Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
на замовлення 7413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1 IQE006NE2LM5ATMA1 INFINEON 3092712.pdf Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
на замовлення 7413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1 infineoniqe006ne2lm5datasheetv0201en.pdf
IQE006NE2LM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Keeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
145+98.07 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1 infineoniqe006ne2lm5datasheetv0201en.pdf
IQE006NE2LM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Keeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+117.77 грн
10+115.89 грн
25+114.01 грн
100+108.14 грн
250+98.45 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1 infineoniqe006ne2lm5datasheetv0201en.pdf
IQE006NE2LM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Keeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
121+117.77 грн
123+115.89 грн
125+114.01 грн
127+108.14 грн
250+98.45 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1 infineoniqe006ne2lm5datasheetv0201en.pdf
IQE006NE2LM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Keeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance
на замовлення 575613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
207+171.28 грн
500+154.74 грн
1000+141.75 грн
10000+121.88 грн
100000+94.82 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1 infineoniqe006ne2lm5datasheetv0201en.pdf
IQE006NE2LM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Keeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+230.79 грн
10+147.59 грн
100+111.47 грн
500+90.30 грн
1000+77.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1 Infineon-IQE006NE2LM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8b08cb821aa4
IQE006NE2LM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
на замовлення 5335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+244.64 грн
10+153.24 грн
50+117.94 грн
100+100.03 грн
500+81.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1 infineoniqe006ne2lm5datasheetv0201en.pdf
IQE006NE2LM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Keeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+252.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1 Infineon_IQE006NE2LM5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IQE006NE2LM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 13638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1 3092712.pdf
IQE006NE2LM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
на замовлення 7413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1 3092712.pdf
IQE006NE2LM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
на замовлення 7413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.