Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQE006NE2LM5CGSCATMA1
IQE006NE2LM5CGSCATMA1

IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IQE006NE2LM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c82701863e47 Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
на замовлення 4468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.91 грн
10+ 142.56 грн
100+ 113.48 грн
500+ 90.11 грн
1000+ 76.46 грн
2000+ 72.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 9-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V.

Інші пропозиції IQE006NE2LM5CGSCATMA1 за ціною від 74.64 грн до 193.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IQE006NE2LM5CGSC_DataSheet_v02_00_EN-3073855.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.42 грн
10+ 158.75 грн
100+ 109.64 грн
250+ 101.06 грн
500+ 92.47 грн
1000+ 79.26 грн
2500+ 74.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQE006NE2LM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c82701863e47 Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
товар відсутній