Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQE006NE2LM5CGSCATMA1
IQE006NE2LM5CGSCATMA1

IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IQE006NE2LM5CGSC_DataSheet_v02_00_EN-3073855.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 14167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+194.06 грн
10+133.74 грн
100+81.76 грн
500+67.24 грн
1000+61.67 грн
6000+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 89W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm.

Інші пропозиції IQE006NE2LM5CGSCATMA1 за ціною від 66.91 грн до 307.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE006NE2LM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c82701863e47 Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Package / Case: 9-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 7525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.82 грн
10+124.77 грн
100+86.10 грн
500+66.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 IQE006NE2LM5CGSCATMA1 INFINEON Infineon-IQE006NE2LM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c82701863e47 Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.54 грн
10+200.64 грн
100+139.79 грн
500+106.13 грн
1000+97.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 IQE006NE2LM5CGSCATMA1 INFINEON Infineon-IQE006NE2LM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c82701863e47 Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.54 грн
10+200.64 грн
100+139.79 грн
500+106.13 грн
1000+97.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Infineon-IQE006NE2LM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c82701863e47
IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Package / Case: 9-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 7525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+199.82 грн
10+124.77 грн
100+86.10 грн
500+66.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Infineon-IQE006NE2LM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c82701863e47
IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+307.54 грн
10+200.64 грн
100+139.79 грн
500+106.13 грн
1000+97.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Infineon-IQE006NE2LM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c82701863e47
IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+307.54 грн
10+200.64 грн
100+139.79 грн
500+106.13 грн
1000+97.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.