| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 199.37 грн |
| 10+ | 131.83 грн |
| 100+ | 79.47 грн |
| 500+ | 65.33 грн |
| 1000+ | 64.70 грн |
| 6000+ | 55.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQE006NE2LM5SCATMA1 Infineon Technologies
Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V.
Інші пропозиції IQE006NE2LM5SCATMA1 за ціною від 66.52 грн до 212.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IQE006NE2LM5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V |
на замовлення 5895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|