IQE008N03LM5SCATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQE008N03LM5SCATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH .
Інші пропозиції IQE008N03LM5SCATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IQE008N03LM5SCATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Supplier Device Package: PG-WHSON-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IQE008N03LM5SCATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IQE008N03LM5SCATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IQE008N03LM5SCATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET
MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.