Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQE013N04LM6ATMA1
IQE013N04LM6ATMA1

IQE013N04LM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IQE013N04LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01735298bd175b06
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+68.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQE013N04LM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IQE013N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 205A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 107W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm.

Інші пропозиції IQE013N04LM6ATMA1 за ціною від 53.99 грн до 242.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IQE013N04LM6ATMA1 IQE013N04LM6ATMA1 INFINEON 3159579.pdf Description: INFINEON - IQE013N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 7826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.81 грн
500+72.23 грн
1000+63.65 грн
5000+59.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1 IQE013N04LM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE013N04LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.55 грн
10+106.99 грн
100+69.71 грн
500+63.65 грн
2500+63.01 грн
5000+53.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1 IQE013N04LM6ATMA1 INFINEON 3159579.pdf Description: INFINEON - IQE013N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 7826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.44 грн
10+139.79 грн
100+88.81 грн
500+72.23 грн
1000+63.65 грн
5000+59.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1 IQE013N04LM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE013N04LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01735298bd175b06 Description: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
на замовлення 5846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.64 грн
10+151.03 грн
100+104.06 грн
500+78.81 грн
1000+72.76 грн
2000+67.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1 3159579.pdf
IQE013N04LM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE013N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 7826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+88.81 грн
500+72.23 грн
1000+63.65 грн
5000+59.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1 Infineon-IQE013N04LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf
IQE013N04LM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+145.55 грн
10+106.99 грн
100+69.71 грн
500+63.65 грн
2500+63.01 грн
5000+53.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1 3159579.pdf
IQE013N04LM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE013N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 7826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+215.44 грн
10+139.79 грн
100+88.81 грн
500+72.23 грн
1000+63.65 грн
5000+59.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1 Infineon-IQE013N04LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01735298bd175b06
IQE013N04LM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
на замовлення 5846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+242.64 грн
10+151.03 грн
100+104.06 грн
500+78.81 грн
1000+72.76 грн
2000+67.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.