Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQE013N04LM6SCATMA1
IQE013N04LM6SCATMA1

IQE013N04LM6SCATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IQE013N04LM6SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181cd1fea4f2fd0
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6000+66.43 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQE013N04LM6SCATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IQE013N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, SON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 205A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 107W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm.

Інші пропозиції IQE013N04LM6SCATMA1 за ціною від 67.87 грн до 280.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IQE013N04LM6SCATMA1 IQE013N04LM6SCATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE013N04LM6SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181cd1fea4f2fd0 Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V
на замовлення 10525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.16 грн
10+143.32 грн
100+99.29 грн
500+75.52 грн
1000+73.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6SCATMA1 IQE013N04LM6SCATMA1 Infineon Technologies Infineon_IQE013N04LM6SC_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 4165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.89 грн
10+148.33 грн
100+89.51 грн
500+74.71 грн
1000+71.19 грн
2500+70.34 грн
6000+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6SCATMA1 IQE013N04LM6SCATMA1 INFINEON 3795147.pdf Description: INFINEON - IQE013N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.40 грн
10+182.55 грн
100+127.46 грн
500+95.45 грн
1000+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6SCATMA1 IQE013N04LM6SCATMA1 INFINEON 3795147.pdf Description: INFINEON - IQE013N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.40 грн
10+182.55 грн
100+127.46 грн
500+95.45 грн
1000+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6SCATMA1 Infineon-IQE013N04LM6SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181cd1fea4f2fd0
IQE013N04LM6SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V
на замовлення 10525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+229.16 грн
10+143.32 грн
100+99.29 грн
500+75.52 грн
1000+73.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6SCATMA1 Infineon_IQE013N04LM6SC_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IQE013N04LM6SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 4165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+231.89 грн
10+148.33 грн
100+89.51 грн
500+74.71 грн
1000+71.19 грн
2500+70.34 грн
6000+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6SCATMA1 3795147.pdf
IQE013N04LM6SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE013N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+280.40 грн
10+182.55 грн
100+127.46 грн
500+95.45 грн
1000+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6SCATMA1 3795147.pdf
IQE013N04LM6SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE013N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+280.40 грн
10+182.55 грн
100+127.46 грн
500+95.45 грн
1000+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.