Продукція > INFINEON > IQE022N06LM5CGATMA1
IQE022N06LM5CGATMA1

IQE022N06LM5CGATMA1 INFINEON

3968296.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 1900 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 4618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+115.12 грн
500+89.34 грн
1000+76.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQE022N06LM5CGATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 1900 µohm, TTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 151A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm.

Інші пропозиції IQE022N06LM5CGATMA1 за ціною від 74.48 грн до 276.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IQE022N06LM5CGATMA1 IQE022N06LM5CGATMA1 Infineon Technologies infineon-iqe022n06lm5cg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 9-Pin TTFN EP T/R
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.35 грн
10+107.78 грн
25+107.37 грн
100+102.51 грн
250+93.96 грн
500+89.30 грн
1000+88.38 грн
3000+87.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGATMA1 IQE022N06LM5CGATMA1 Infineon Technologies infineon-iqe022n06lm5cg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 9-Pin TTFN EP T/R
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+116.35 грн
132+107.37 грн
134+102.51 грн
250+93.96 грн
500+89.30 грн
1000+88.38 грн
3000+87.48 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGATMA1 IQE022N06LM5CGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE022N06LM5CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701866d7acc3551be Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V
на замовлення 3229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.88 грн
10+148.67 грн
100+103.10 грн
500+78.47 грн
1000+74.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGATMA1 IQE022N06LM5CGATMA1 INFINEON 3968296.pdf Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 1900 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 4618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.47 грн
10+147.19 грн
100+115.12 грн
500+89.34 грн
1000+76.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGATMA1 IQE022N06LM5CGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IQE022N06LM5CG_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 4456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.60 грн
10+171.03 грн
100+103.61 грн
500+87.40 грн
1000+80.35 грн
2500+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGATMA1 IQE022N06LM5CGATMA1 Infineon Technologies infineon-iqe022n06lm5cg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 9-Pin TTFN EP T/R
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+276.74 грн
77+184.53 грн
78+181.41 грн
79+173.30 грн
102+124.03 грн
250+118.56 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGATMA1 infineon-iqe022n06lm5cg-datasheet-v02_00-en.pdf
IQE022N06LM5CGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 9-Pin TTFN EP T/R
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+116.35 грн
10+107.78 грн
25+107.37 грн
100+102.51 грн
250+93.96 грн
500+89.30 грн
1000+88.38 грн
3000+87.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGATMA1 infineon-iqe022n06lm5cg-datasheet-v02_00-en.pdf
IQE022N06LM5CGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 9-Pin TTFN EP T/R
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
122+116.35 грн
132+107.37 грн
134+102.51 грн
250+93.96 грн
500+89.30 грн
1000+88.38 грн
3000+87.48 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGATMA1 Infineon-IQE022N06LM5CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701866d7acc3551be
IQE022N06LM5CGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V
на замовлення 3229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+237.88 грн
10+148.67 грн
100+103.10 грн
500+78.47 грн
1000+74.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGATMA1 3968296.pdf
IQE022N06LM5CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 1900 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 4618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+238.47 грн
10+147.19 грн
100+115.12 грн
500+89.34 грн
1000+76.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGATMA1 Infineon_IQE022N06LM5CG_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IQE022N06LM5CGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 4456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+265.60 грн
10+171.03 грн
100+103.61 грн
500+87.40 грн
1000+80.35 грн
2500+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGATMA1 infineon-iqe022n06lm5cg-datasheet-v02_00-en.pdf
IQE022N06LM5CGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 9-Pin TTFN EP T/R
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
52+276.74 грн
77+184.53 грн
78+181.41 грн
79+173.30 грн
102+124.03 грн
250+118.56 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.