Продукція > INFINEON > IQE022N06LM5CGSCATMA1
IQE022N06LM5CGSCATMA1

IQE022N06LM5CGSCATMA1 INFINEON

3968298.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 1900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+154.59 грн
500+114.53 грн
1000+101.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQE022N06LM5CGSCATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 1900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 151A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WHTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm.

Інші пропозиції IQE022N06LM5CGSCATMA1 за ціною від 86.26 грн до 323.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IQE022N06LM5CGSCATMA1 IQE022N06LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE022N06LM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701866d7ad6fd51c1 Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.84 грн
10+166.38 грн
100+116.11 грн
500+88.81 грн
1000+86.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGSCATMA1 IQE022N06LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies Infineon_IQE022N06LM5CGSC_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+323.98 грн
10+209.12 грн
100+132.51 грн
500+111.36 грн
1000+107.13 грн
2500+102.90 грн
6000+100.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGSCATMA1 IQE022N06LM5CGSCATMA1 INFINEON 3968298.pdf Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 1900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.98 грн
10+212.15 грн
100+154.59 грн
500+114.53 грн
1000+101.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGSCATMA1 Infineon-IQE022N06LM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701866d7ad6fd51c1
IQE022N06LM5CGSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+264.84 грн
10+166.38 грн
100+116.11 грн
500+88.81 грн
1000+86.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGSCATMA1 Infineon_IQE022N06LM5CGSC_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IQE022N06LM5CGSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+323.98 грн
10+209.12 грн
100+132.51 грн
500+111.36 грн
1000+107.13 грн
2500+102.90 грн
6000+100.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGSCATMA1 3968298.pdf
IQE022N06LM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 1900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+323.98 грн
10+212.15 грн
100+154.59 грн
500+114.53 грн
1000+101.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.