Продукція > INFINEON > IQE022N06LM5SCATMA1
IQE022N06LM5SCATMA1

IQE022N06LM5SCATMA1 INFINEON


3968297.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE022N06LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+130.39 грн
500+109.59 грн
1000+86.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQE022N06LM5SCATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IQE022N06LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, WHSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 151A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: WHSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IQE022N06LM5SCATMA1 за ціною від 76.19 грн до 248.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IQE022N06LM5SCATMA1 IQE022N06LM5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQE022N06LM5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701866d7ae26e51c4 Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V
на замовлення 5738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.13 грн
10+158.63 грн
100+110.70 грн
500+84.67 грн
1000+78.50 грн
2000+76.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5SCATMA1 IQE022N06LM5SCATMA1 Виробник : INFINEON 3968297.pdf Description: INFINEON - IQE022N06LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+241.81 грн
10+177.44 грн
100+130.39 грн
500+109.59 грн
1000+86.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5SCATMA1 IQE022N06LM5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IQE022N06LM5SC_DataSheet_v02_00_EN-3107255.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.91 грн
10+164.13 грн
100+102.26 грн
500+83.87 грн
1000+81.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqe022n06lm5sc-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WHSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5SCATMA1 IQE022N06LM5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQE022N06LM5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701866d7ae26e51c4 Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.