IQE030N06NM5CGSCATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 233.82 грн |
| 10+ | 163.01 грн |
| 100+ | 118.55 грн |
| 500+ | 91.74 грн |
| 1000+ | 83.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQE030N06NM5CGSCATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 132A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IQE030N06NM5CGSCATMA1 за ціною від 81.36 грн до 264.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IQE030N06NM5CGSCATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V Dauer-Drainstrom Id: 132A hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 5934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IQE030N06NM5CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V |
на замовлення 5902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IQE030N06NM5CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 5710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IQE030N06NM5CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 9-Pin WHTFN EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
IQE030N06NM5CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |