IQE031N08LM6CGATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50.8µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 165.83 грн |
| 10+ | 118.57 грн |
| 25+ | 108.35 грн |
| 100+ | 91.15 грн |
| 250+ | 86.12 грн |
| 500+ | 83.09 грн |
| 1000+ | 79.28 грн |
| 2500+ | 76.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQE031N08LM6CGATMA1 Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V.
Інші пропозиції IQE031N08LM6CGATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IQE031N08LM6CGATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V |
на замовлення 5358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IQE031N08LM6CGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V
MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V
на замовлення 5358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)