IQE031N08LM6CGATMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50.8µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 40 V

на замовлення 4980 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	167.86 грн
10+	120.02 грн
25+	109.68 грн
100+	92.26 грн
250+	87.18 грн
500+	84.11 грн
1000+	80.25 грн
2500+	77.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IQE031N08LM6CGATMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції IQE031N08LM6CGATMA1 за ціною від 76.70 грн до 257.86 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	IQE031N08LM6CGATMA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V	на замовлення 5370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	Кількість Ціна 2+ 257.86 грн 10+ 165.18 грн 100+ 112.95 грн 500+ 99.70 грн 1000+ 80.88 грн 2500+ 76.70 грн Мінімальне замовлення: 2 купити В кошику  од. на суму  грн.
	IQE031N08LM6CGATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 127A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50.8µA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 40 V	товару немає в наявності	купити В кошику  од. на суму  грн.