IQE031N08LM6CGATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50.8µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 255.52 грн |
| 10+ | 160.92 грн |
| 50+ | 124.04 грн |
| 100+ | 105.27 грн |
| 500+ | 85.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQE031N08LM6CGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQE031N08LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 127 A, 0.00315 ohm, TTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 127A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00315ohm.
Інші пропозиції IQE031N08LM6CGATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IQE031N08LM6CGATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V |
на замовлення 4148 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IQE031N08LM6CGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQE031N08LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 127 A, 0.00315 ohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 127A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00315ohm |
на замовлення 4847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
IQE031N08LM6CGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQE031N08LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 127 A, 0.00315 ohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 4847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IQE031N08LM6CGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V
MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V
на замовлення 4148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IQE031N08LM6CGATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE031N08LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 127 A, 0.00315 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00315ohm
Description: INFINEON - IQE031N08LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 127 A, 0.00315 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00315ohm
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IQE031N08LM6CGATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE031N08LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 127 A, 0.00315 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IQE031N08LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 127 A, 0.00315 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)