IQE031N08LM6CGSCATMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50.8µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 40 V

на замовлення 5515 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	224.34 грн
10+	162.47 грн
25+	149.04 грн
100+	126.02 грн
250+	119.41 грн
500+	115.43 грн
1000+	110.31 грн
2500+	106.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IQE031N08LM6CGSCATMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції IQE031N08LM6CGSCATMA1 за ціною від 103.19 грн до 326.19 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	IQE031N08LM6CGSCATMA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V	на замовлення 6260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	Кількість Ціна 1+ 326.19 грн 10+ 212.48 грн 100+ 144.33 грн 500+ 128.29 грн 1000+ 109.47 грн 2500+ 105.98 грн 6000+ 103.19 грн купити В кошику  од. на суму  грн.
	IQE031N08LM6CGSCATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 127A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50.8µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 40 V	товару немає в наявності	купити В кошику  од. на суму  грн.