IQE036N08NM6CGATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 264.15 грн |
| 10+ | 165.68 грн |
| 50+ | 127.56 грн |
| 100+ | 108.19 грн |
| 500+ | 88.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQE036N08NM6CGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 118A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm.
Інші пропозиції IQE036N08NM6CGATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IQE036N08NM6CGATMA1 | Infineon Technologies |
 MOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V |
на замовлення 216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IQE036N08NM6CGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 118A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm |
на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
| IQE036N08NM6CGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IQE036N08NM6CGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
MOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IQE036N08NM6CGATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IQE036N08NM6CGATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)