Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQE046N08LM5ATMA1

IQE046N08LM5ATMA1 Infineon Technologies

Name: IQE046N08LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 28386391-3
Price: 464.92 UAH
Availability: InStock

Infineon-IQE046N08LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701866d8d14d151c7

Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 2945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	232.46 грн
10+	145.50 грн
100+	101.12 грн
500+	77.12 грн
1000+	75.93 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IQE046N08LM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IQE046N08LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4600 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 99A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IQE046N08LM5ATMA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
IQE046N08LM5ATMA1	Infineon Technologies	MOSFETs TRENCH 40<-<100V	на замовлення 7193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
IQE046N08LM5ATMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IQE046N08LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4600 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	на замовлення 2538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн.
IQE046N08LM5ATMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IQE046N08LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4600 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	на замовлення 2538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5ATMA1

Infineon_IQE046N08LM5_DataSheet_v02_00_EN-3107431.pdf

Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 7193 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5ATMA1

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE046N08LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2538 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5ATMA1

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE046N08LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2538 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.