Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQE046N08LM5CGSCATMA1
IQE046N08LM5CGSCATMA1

IQE046N08LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IQE046N08LM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701866d8d2f6b51cd Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+189.34 грн
10+ 151.64 грн
100+ 120.72 грн
500+ 95.86 грн
1000+ 81.33 грн
2000+ 77.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQE046N08LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 9-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA, Supplier Device Package: PG-WHTFN-9, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V.

Інші пропозиції IQE046N08LM5CGSCATMA1 за ціною від 79.92 грн до 205.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IQE046N08LM5CGSCATMA1 IQE046N08LM5CGSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IQE046N08LM5CGSC_DataSheet_v02_00_EN-3106665.pdf MOSFET
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+205.75 грн
10+ 168.63 грн
100+ 116.91 грн
250+ 108.32 грн
500+ 98.42 грн
1000+ 83.88 грн
2500+ 79.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQE046N08LM5CGSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQE046N08LM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701866d8d2f6b51cd TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IQE046N08LM5CGSCATMA1 IQE046N08LM5CGSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQE046N08LM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701866d8d2f6b51cd Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V
товар відсутній