IQE046N08LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 84.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQE046N08LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQE046N08LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 99A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: WHTFN, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IQE046N08LM5CGSCATMA1 за ціною від 83.27 грн до 262.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IQE046N08LM5CGSCATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IQE046N08LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: WHTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IQE046N08LM5CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA Supplier Device Package: PG-WHTFN-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V |
на замовлення 7870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IQE046N08LM5CGSCATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IQE046N08LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: WHTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IQE046N08LM5CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 11866 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IQE046N08LM5CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
TRENCH 40<-<100V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
IQE046N08LM5CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A 9-Pin WHTFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IQE046N08LM5CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A 9-Pin WHTFN EP T/R |
товару немає в наявності |