Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQE050N08NM5SCATMA1
IQE050N08NM5SCATMA1

IQE050N08NM5SCATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IQE050N08NM5SC_DataSheet_v02_00_EN-3073793.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 5071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.91 грн
10+165.42 грн
100+104.95 грн
500+93.94 грн
1000+91.74 грн
2500+91.00 грн
6000+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQE050N08NM5SCATMA1 Infineon Technologies

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA, Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V.

Інші пропозиції IQE050N08NM5SCATMA1 за ціною від 82.55 грн до 251.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IQE050N08NM5SCATMA1 IQE050N08NM5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQE050N08NM5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181ce4db68b016e Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.66 грн
10+168.34 грн
100+118.10 грн
500+90.58 грн
1000+84.08 грн
2000+82.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqe050n08nm5sc-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5SCATMA1 IQE050N08NM5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQE050N08NM5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181ce4db68b016e Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.