IQE050N08NM5SCATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 260.63 грн |
| 10+ | 174.34 грн |
| 100+ | 122.30 грн |
| 500+ | 93.81 грн |
| 1000+ | 87.07 грн |
| 2000+ | 85.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQE050N08NM5SCATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQE050N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4300 µohm, SON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 99A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: SON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IQE050N08NM5SCATMA1 за ціною від 79.80 грн до 289.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IQE050N08NM5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IQE050N08NM5SCATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IQE050N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4300 µohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IQE050N08NM5SCATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IQE050N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4300 µohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IQE050N08NM5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 16A |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IQE050N08NM5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |