| Кількість | Ціна без ПДВ |
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| 2+ | 226.44 грн |
| 10+ | 187.42 грн |
| 25+ | 158.53 грн |
| 100+ | 132.60 грн |
| 250+ | 128.16 грн |
| 500+ | 117.79 грн |
| 1000+ | 94.82 грн |
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Технічний опис IQE065N10NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQE065N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 100W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm.
Інші пропозиції IQE065N10NM5ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IQE065N10NM5ATMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IQE065N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm |
на замовлення 3164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IQE065N10NM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQE065N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 100W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm |
на замовлення 3164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IQE065N10NM5ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
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| IQE065N10NM5ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
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