| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 223.54 грн |
| 10+ | 185.03 грн |
| 25+ | 156.50 грн |
| 100+ | 130.91 грн |
| 250+ | 126.52 грн |
| 500+ | 116.28 грн |
| 1000+ | 93.61 грн |
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Технічний опис IQE065N10NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQE065N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0057 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 100W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IQE065N10NM5ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IQE065N10NM5ATMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IQE065N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0057 ohm, TSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IQE065N10NM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQE065N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0057 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| IQE065N10NM5ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| IQE065N10NM5ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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