Продукція > INFINEON > IQE065N10NM5CGATMA1
IQE065N10NM5CGATMA1

IQE065N10NM5CGATMA1 INFINEON

3629130.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+91.27 грн
500+70.09 грн
1000+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQE065N10NM5CGATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 100W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TTFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm.

Інші пропозиції IQE065N10NM5CGATMA1 за ціною від 61.11 грн до 229.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IQE065N10NM5CGATMA1 IQE065N10NM5CGATMA1 INFINEON 3629130.pdf Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.82 грн
10+128.28 грн
100+91.27 грн
500+70.09 грн
1000+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5CGATMA1 IQE065N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IQE065N10NM5CG_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 5096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.69 грн
10+136.98 грн
100+83.17 грн
500+67.31 грн
1000+61.25 грн
5000+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5CGATMA1 IQE065N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE065N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c9c33bb0dae Description: TRENCH >=100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 9915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.95 грн
10+144.01 грн
100+99.72 грн
500+75.84 грн
1000+70.14 грн
2000+66.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5CGATMA1 3629130.pdf
IQE065N10NM5CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+199.82 грн
10+128.28 грн
100+91.27 грн
500+70.09 грн
1000+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5CGATMA1 Infineon_IQE065N10NM5CG_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IQE065N10NM5CGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 5096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+209.69 грн
10+136.98 грн
100+83.17 грн
500+67.31 грн
1000+61.25 грн
5000+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5CGATMA1 Infineon-IQE065N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c9c33bb0dae
IQE065N10NM5CGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 9915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+229.95 грн
10+144.01 грн
100+99.72 грн
500+75.84 грн
1000+70.14 грн
2000+66.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.