IQE065N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 223.22 грн |
| 10+ | 139.79 грн |
| 100+ | 96.80 грн |
| 500+ | 73.63 грн |
| 1000+ | 68.09 грн |
| 2000+ | 64.51 грн |
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Технічний опис IQE065N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 100W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TTFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm.
Інші пропозиції IQE065N10NM5CGATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IQE065N10NM5CGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm |
на замовлення 1075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IQE065N10NM5CGATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 5096 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IQE065N10NM5CGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 100W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TTFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm |
на замовлення 1075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IQE065N10NM5CGATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IQE065N10NM5CGATMA1 |
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Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 5096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IQE065N10NM5CGATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 85A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
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Produktpalette: OptiMOS 5 Series
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на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)