Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQE065N10NM5SCATMA1
IQE065N10NM5SCATMA1

IQE065N10NM5SCATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IQE065N10NM5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d247e8ad0a30 Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.02 грн
10+159.03 грн
100+110.83 грн
500+84.68 грн
1000+78.47 грн
2000+75.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQE065N10NM5SCATMA1 Infineon Technologies

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA, Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IQE065N10NM5SCATMA1 за ціною від 106.62 грн до 254.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IQE065N10NM5SCATMA1 IQE065N10NM5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IQE065N10NM5SC_DataSheet_v02_00_EN-3073898.pdf MOSFETs N
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.06 грн
10+211.30 грн
25+173.16 грн
100+148.20 грн
250+139.89 грн
500+132.32 грн
1000+106.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqe065n10nm5sc-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin WHSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5SCATMA1 IQE065N10NM5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQE065N10NM5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d247e8ad0a30 Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.