Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQE220N15NM5CGATMA1
IQE220N15NM5CGATMA1

IQE220N15NM5CGATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IQE220N15NM5_DataSheet_v02_00_EN-3107502.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.41 грн
10+144.92 грн
100+89.04 грн
500+73.35 грн
1000+68.14 грн
5000+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQE220N15NM5CGATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 9-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA, Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V.

Інші пропозиції IQE220N15NM5CGATMA1 за ціною від 67.46 грн до 235.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IQE220N15NM5CGATMA1 IQE220N15NM5CGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQE220N15NM5CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183cca37a196f90 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.09 грн
10+146.68 грн
100+101.54 грн
500+77.19 грн
1000+71.37 грн
2000+67.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE220N15NM5CGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqe220n15nm5cg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 7A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE220N15NM5CGATMA1 IQE220N15NM5CGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQE220N15NM5CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183cca37a196f90 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.