IQE220N15NM5CGATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerTDFN
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 223.17 грн |
| 10+ | 139.24 грн |
| 100+ | 96.40 грн |
| 500+ | 73.28 грн |
| 1000+ | 67.75 грн |
| 2000+ | 64.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQE220N15NM5CGATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 9-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції IQE220N15NM5CGATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IQE220N15NM5CGATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
на замовлення 4955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IQE220N15NM5CGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)