IQE220N15NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 9WHTFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 338.61 грн |
| 10+ | 215.42 грн |
| 100+ | 152.72 грн |
| 500+ | 124.45 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQE220N15NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 9WHTFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 9-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Supplier Device Package: PG-WHTFN-9.
Інші пропозиції IQE220N15NM5CGSCATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IQE220N15NM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IQE220N15NM5CGSCATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)