IQE220N15NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 150V 9WHTFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 81.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQE220N15NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 150V 9WHTFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 9-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Supplier Device Package: PG-WHTFN-9.
Інші пропозиції IQE220N15NM5CGSCATMA1 за ціною від 73.32 грн до 295.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IQE220N15NM5CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 150V 9WHTFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Supplier Device Package: PG-WHTFN-9 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IQE220N15NM5CGSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|