Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQE220N15NM5CGSCATMA1

IQE220N15NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IQE220N15NM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b22d468912f5d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 150V 9WHTFN
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Package / Case: 9-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+80.15 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQE220N15NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 150V 9WHTFN, Supplier Device Package: PG-WHTFN-9, Package / Case: 9-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Mounting Type: Surface Mount.

Інші пропозиції IQE220N15NM5CGSCATMA1 за ціною від 72.43 грн до 244.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE220N15NM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b22d468912f5d Description: MOSFET 2N-CH 150V 9WHTFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerWDFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.10 грн
10+153.05 грн
100+106.51 грн
500+81.29 грн
1000+75.30 грн
2000+72.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies Infineon_IQE220N15NM5CGSC_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE220N15NM5CGSCATMA1 Infineon-IQE220N15NM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b22d468912f5d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 150V 9WHTFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerWDFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+244.10 грн
10+153.05 грн
100+106.51 грн
500+81.29 грн
1000+75.30 грн
2000+72.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE220N15NM5CGSCATMA1 Infineon_IQE220N15NM5CGSC_DataSheet_v02_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.