IQE220N15NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 9WHTFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerWDFN
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 334.76 грн |
| 10+ | 212.97 грн |
| 100+ | 150.98 грн |
| 500+ | 123.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQE220N15NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 9WHTFN, Supplier Device Package: PG-WHTFN-9, Package / Case: 9-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Mounting Type: Surface Mount.
Інші пропозиції IQE220N15NM5CGSCATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IQE220N15NM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IQE220N15NM5CGSCATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)