Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQE220N15NM5SCATMA1
IQE220N15NM5SCATMA1

IQE220N15NM5SCATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IQE220N15NM5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b22ef9f0f2f88
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 8WHSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V
на замовлення 4448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.87 грн
10+150.29 грн
100+104.60 грн
500+79.83 грн
1000+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQE220N15NM5SCATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 8WHSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA, Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V.

Інші пропозиції IQE220N15NM5SCATMA1 за ціною від 74.07 грн до 245.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IQE220N15NM5SCATMA1 IQE220N15NM5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IQE220N15NM5SC_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.52 грн
10+158.43 грн
100+95.53 грн
500+80.30 грн
1000+77.53 грн
2500+76.15 грн
6000+74.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE220N15NM5SCATMA1 IQE220N15NM5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQE220N15NM5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b22ef9f0f2f88 Description: MOSFET N-CH 150V 8WHSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.