на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 281.47 грн |
| 10+ | 181.84 грн |
| 100+ | 112.84 грн |
| 250+ | 109.87 грн |
| 500+ | 93.54 грн |
| 1000+ | 84.63 грн |
| 2500+ | 82.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQE220N15NM5SCATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 150V 8WHSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1.
Інші пропозиції IQE220N15NM5SCATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IQE220N15NM5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 TRENCH >=100V |
товару немає в наявності |
||
 |
IQE220N15NM5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 150V 8WHSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1 |
товару немає в наявності |
|
|
|
IQE220N15NM5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 150V 8WHSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1 |
товару немає в наявності |