| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 272.39 грн |
| 10+ | 175.26 грн |
| 100+ | 106.61 грн |
| 500+ | 86.34 грн |
| 1000+ | 85.58 грн |
| 2500+ | 82.58 грн |
| 6000+ | 80.33 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQE220N15NM5SCATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 8WHSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA, Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V.
Інші пропозиції IQE220N15NM5SCATMA1 за ціною від 102.79 грн до 295.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IQE220N15NM5SCATMA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 150V 8WHSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V |
на замовлення 2438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IQE220N15NM5SCATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 8WHSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 8WHSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 295.34 грн |
| 10+ | 186.73 грн |
| 50+ | 144.67 грн |
| 100+ | 123.05 грн |
| 500+ | 102.79 грн |