IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 440A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 12 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 313.53 грн |
| 10+ | 198.96 грн |
| 50+ | 154.73 грн |
| 100+ | 131.81 грн |
| 500+ | 112.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 440 A, 0.00046 ohm, WHTFN-EP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 440A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: WHTFN-EP, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00046ohm.
Інші пропозиції IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V |
на замовлення 3969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 440 A, 0.00046 ohm, WHTFN-EP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 440A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: WHTFN-EP Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00046ohm |
на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
MOSFETs OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
на замовлення 3969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 440 A, 0.00046 ohm, WHTFN-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: WHTFN-EP
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00046ohm
Description: INFINEON - IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 440 A, 0.00046 ohm, WHTFN-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: WHTFN-EP
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00046ohm
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)