Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1
IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1

IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 Infineon Technologies

infineon-iqeh46ne2lm7zcgsc-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 12 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+68.92 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V.

Інші пропозиції IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 за ціною від 76.24 грн до 233.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 Infineon Technologies infineon-iqeh46ne2lm7zcgsc-datasheet-en.pdf Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 12 V
на замовлення 6301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.25 грн
10+146.18 грн
100+101.60 грн
500+77.47 грн
1000+76.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 Infineon Technologies Infineon_IQEH46NE2LM7ZCGSC_PreliminaryDataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
на замовлення 14766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 infineon-iqeh46ne2lm7zcgsc-datasheet-en.pdf
IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 12 V
на замовлення 6301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+233.25 грн
10+146.18 грн
100+101.60 грн
500+77.47 грн
1000+76.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 Infineon_IQEH46NE2LM7ZCGSC_PreliminaryDataSheet_v01_00_EN.pdf
IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
на замовлення 14766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.