IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 12 V

на замовлення 1078 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Підписка на надходження

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	315.14 грн
10+	199.46 грн
50+	154.93 грн
100+	131.93 грн
500+	111.95 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Товар під замовлення

Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.

термін постачання: 21-31 дні (днів)

Мінімальна партія: 2 шт

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 за ціною від 107.36 грн до 337.21 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1	Infineon Technologies	MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V	на замовлення 14303 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) Підписка на надходження	1+ 337.21 грн 10+ 170.08 грн 100+ 134.38 грн 500+ 114.11 грн 2500+ 109.61 грн 6000+ 107.36 грн купити В кошику  од. на суму  грн.

IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1

Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

на замовлення 14303 шт:

термін постачання 31-40 дні (днів)

Підписка на надходження

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	337.21 грн
10+	170.08 грн
100+	134.38 грн
500+	114.11 грн
2500+	109.61 грн
6000+	107.36 грн

купити

В кошику  од. на суму  грн.