Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1
IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1

IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 Infineon Technologies


infineon-iqeh46ne2lm7zcgsc-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 12 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+69.58 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V.

Інші пропозиції IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 за ціною від 71.63 грн до 235.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IQEH46NE2LM7ZCGSC_PreliminaryDataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
на замовлення 5331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.22 грн
10+148.75 грн
100+89.71 грн
500+77.19 грн
2500+74.41 грн
6000+71.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iqeh46ne2lm7zcgsc-datasheet-en.pdf Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 12 V
на замовлення 6301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.48 грн
10+147.58 грн
100+102.57 грн
500+78.21 грн
1000+76.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.