IQFH39N04NM6ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IQFH39N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 600 A, 390 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 600A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 260.05 грн |
| 500+ | 221.68 грн |
| 1000+ | 200.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQFH39N04NM6ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IQFH39N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 600 A, 390 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 600A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 273W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IQFH39N04NM6ATMA1 за ціною від 200.24 грн до 625.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IQFH39N04NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Ta), 600A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.39mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 273W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA Supplier Device Package: PG-TSON-12-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16400 pF @ 20 V |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IQFH39N04NM6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IQFH39N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 600 A, 390 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 600A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 273W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IQFH39N04NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IQFH39N04NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Ta), 600A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.39mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 273W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA Supplier Device Package: PG-TSON-12-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16400 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |