Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IQFH47N04NM6ATMA1
IQFH47N04NM6ATMA1

IQFH47N04NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IQFH47N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101904de8dede050b
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13300 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 221 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TSON-12-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 507A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+158.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQFH47N04NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IQFH47N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 507 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 507A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IQFH47N04NM6ATMA1 за ціною від 143.49 грн до 482.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IQFH47N04NM6ATMA1 IQFH47N04NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IQFH47N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101904de8dede050b Description: INFINEON - IQFH47N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 507 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 507A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+216.26 грн
500+186.31 грн
1000+167.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH47N04NM6ATMA1 IQFH47N04NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQFH47N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101904de8dede050b Description: TRENCH <= 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TSON-12-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 507A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13300 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 221 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.77 грн
10+261.14 грн
100+187.22 грн
500+146.11 грн
1000+143.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH47N04NM6ATMA1 IQFH47N04NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IQFH47N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101904de8dede050b Description: INFINEON - IQFH47N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 507 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 507A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.57 грн
10+301.78 грн
100+216.26 грн
500+186.31 грн
1000+167.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH47N04NM6ATMA1 IQFH47N04NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_DS_IQFH47N04NM6_2_0-3464772.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.69 грн
10+319.36 грн
100+206.51 грн
250+171.98 грн
500+145.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH47N04NM6ATMA1 Infineon-IQFH47N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101904de8dede050b
IQFH47N04NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQFH47N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 507 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 507A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+216.26 грн
500+186.31 грн
1000+167.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH47N04NM6ATMA1 Infineon-IQFH47N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101904de8dede050b
IQFH47N04NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TSON-12-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 507A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13300 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 221 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+406.77 грн
10+261.14 грн
100+187.22 грн
500+146.11 грн
1000+143.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH47N04NM6ATMA1 Infineon-IQFH47N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101904de8dede050b
IQFH47N04NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQFH47N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 507 A, 470 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 507A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+441.57 грн
10+301.78 грн
100+216.26 грн
500+186.31 грн
1000+167.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH47N04NM6ATMA1 Infineon_DS_IQFH47N04NM6_2_0-3464772.pdf
IQFH47N04NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+482.69 грн
10+319.36 грн
100+206.51 грн
250+171.98 грн
500+145.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.