IQFH55N04NM6ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PG-TSON-12-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 451A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerTDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQFH55N04NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH .
Інші пропозиції IQFH55N04NM6ATMA1 за ціною від 126.16 грн до 366.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IQFH55N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 451A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA Supplier Device Package: PG-TSON-12-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 20 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IQFH55N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 40V |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IQFH55N04NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 451A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Supplier Device Package: PG-TSON-12-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 20 V
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 451A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Supplier Device Package: PG-TSON-12-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 339.37 грн |
| 10+ | 217.23 грн |
| 100+ | 154.71 грн |
| 500+ | 137.33 грн |
| IQFH55N04NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 366.74 грн |
| 10+ | 240.73 грн |
| 100+ | 149.42 грн |
| 500+ | 134.62 грн |
| 1000+ | 131.10 грн |
| 3000+ | 126.16 грн |