IQFH61N06NM5ATMA1
Код товару: 215568
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IQFH61N06NM5ATMA1 за ціною від 218.60 грн до 573.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IQFH61N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 510A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.61mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 247µA Supplier Device Package: PG-TSON-12-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18100 pF @ 30 V |
на замовлення 2803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IQFH61N06NM5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IQFH61N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 610 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 510A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IQFH61N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 510A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.61mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 247µA Supplier Device Package: PG-TSON-12-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18100 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IQFH61N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 5 Power-Transistor,60V |
товару немає в наявності |