IQFH61N06NM5ATMA1

IQFH61N06NM5ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IQFH61N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101904e28fe8005b2 Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 510A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.61mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 247µA
Supplier Device Package: PG-TSON-12-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18100 pF @ 30 V
на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+514.61 грн
10+335.30 грн
100+251.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQFH61N06NM5ATMA1 Infineon Technologies

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1, .

Інші пропозиції IQFH61N06NM5ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IQFH61N06NM5ATMA1
Код товару: 215568
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IQFH61N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101904e28fe8005b2 Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH61N06NM5ATMA1 IQFH61N06NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQFH61N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101904e28fe8005b2 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 510A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.61mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 247µA
Supplier Device Package: PG-TSON-12-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH61N06NM5ATMA1 IQFH61N06NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon_iqfh61n06nm5_datasheet_en.pdf MOSFETs OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.