IQFH68N06NM5ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 442.90 грн |
| 10+ | 366.93 грн |
| 100+ | 258.52 грн |
| 500+ | 229.79 грн |
| 1000+ | 196.41 грн |
| 3000+ | 184.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQFH68N06NM5ATMA1 Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 5 Power-Transistor,60V.
Інші пропозиції IQFH68N06NM5ATMA1 за ціною від 227.67 грн до 480.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IQFH68N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100VPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 460A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 273W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 217µA Supplier Device Package: PG-TSON-12-U01 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 30 V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| IQFH68N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
TRENCH 40<-<100V |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
IQFH68N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100VPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 460A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 273W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 217µA Supplier Device Package: PG-TSON-12-U01 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |

