IQFH68N06NM5ATMA1

IQFH68N06NM5ATMA1 Infineon Technologies


infineon-iqfh68n06nm5-datasheet-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+442.90 грн
10+366.93 грн
100+258.52 грн
500+229.79 грн
1000+196.41 грн
3000+184.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQFH68N06NM5ATMA1 Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 5 Power-Transistor,60V.

Інші пропозиції IQFH68N06NM5ATMA1 за ціною від 227.67 грн до 480.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IQFH68N06NM5ATMA1 IQFH68N06NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQFH68N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101904e447a580640 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 217µA
Supplier Device Package: PG-TSON-12-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 30 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+480.35 грн
10+311.02 грн
100+227.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH68N06NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQFH68N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101904e447a580640 TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH68N06NM5ATMA1 IQFH68N06NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQFH68N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101904e447a580640 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 217µA
Supplier Device Package: PG-TSON-12-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.