IQFH86N06NM5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 394A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 176µA
Supplier Device Package: PG-TSON-12-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 30 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 445.53 грн |
| 10+ | 287.41 грн |
| 100+ | 207.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IQFH86N06NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH 40.
Інші пропозиції IQFH86N06NM5ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IQFH86N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 394A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.86mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 176µA Supplier Device Package: PG-TSON-12-U01 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|
| IQFH86N06NM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
товару немає в наявності |