IR2010PBF Infineon Technologies
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 181.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IR2010PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IR2010PBF - MOSFET-Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 3Aout, 65ns, DIP-14, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 3A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: DIP, Eingang: Nicht invertierend, MSL: -, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 3A, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 14Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 95ns, Ausgabeverzögerung: 65ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IR2010PBF за ціною від 160.81 грн до 554.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR2010PBF | Виробник : Infineon Technologies | Driver 200V 3A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 14-Pin PDIP Tube |
на замовлення 1746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IR2010PBF | Виробник : Infineon Technologies | Driver 200V 3A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 14-Pin PDIP Tube |
на замовлення 1746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IR2010PBF | Виробник : Infineon Technologies | Driver 200V 3A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 14-Pin PDIP Tube |
на замовлення 2984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IR2010PBF | Виробник : Infineon Technologies | Gate Drivers 200V high & low-side 3A,Shutdown,95ns |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IR2010PBF | Виробник : Infineon Technologies | Driver 200V 3A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 14-Pin PDIP Tube |
на замовлення 516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IR2010PBF | Виробник : Infineon Technologies | Driver 200V 3A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 14-Pin PDIP Tube |
на замовлення 518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IR2010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP Packaging: Tube Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 14-DIP Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 15ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 3A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IR2010PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IR2010PBF - MOSFET-Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 3Aout, 65ns, DIP-14 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DIP Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 3A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 95ns Ausgabeverzögerung: 65ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IR2010PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP14 Output current: -3...3A Power: 1.6W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 200V Turn-on time: 95ns Turn-off time: 65ns |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IR2010PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP14 Output current: -3...3A Power: 1.6W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 200V Turn-on time: 95ns Turn-off time: 65ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|