Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IR2011PBF
IR2011PBF

IR2011PBF Infineon Technologies

infineonir2011dsv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Driver 200V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
65+218.51 грн
66+216.67 грн
100+214.82 грн
250+200.93 грн
2500+180.64 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IR2011PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IR2011PBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), DIP, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 1A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: DIP, Eingang: Invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1A, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 80ns, Ausgabeverzögerung: 75ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IR2011PBF за ціною від 118.42 грн до 294.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IR2011PBF IR2011PBF Infineon Technologies ir2011.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c49b831663 description Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.05 грн
10+179.11 грн
50+155.63 грн
100+139.26 грн
250+132.06 грн
500+127.73 грн
1000+122.13 грн
2500+118.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF IR2011PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2011SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Case: DIP8
Mounting: THT
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1...1A
Turn-off time: 60ns
Turn-on time: 80ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+258.90 грн
10+198.93 грн
25+190.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF IR2011PBF INFINEON 2820281.pdf description Description: INFINEON - IR2011PBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), DIP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.32 грн
10+209.22 грн
25+166.55 грн
50+152.37 грн
100+138.54 грн
250+135.03 грн
500+132.21 грн
1000+127.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF IR2011PBF Infineon Technologies ir2011.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c49b831663 description Gate Drivers 200V high & low-side ,1A,80ns,PDIP8
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.55 грн
10+218.36 грн
25+175.11 грн
100+157.53 грн
250+149.09 грн
500+148.39 грн
1000+139.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF description ir2011.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c49b831663
IR2011PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+246.05 грн
10+179.11 грн
50+155.63 грн
100+139.26 грн
250+132.06 грн
500+127.73 грн
1000+122.13 грн
2500+118.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF description IR2011SPBF.pdf
IR2011PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Case: DIP8
Mounting: THT
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1...1A
Turn-off time: 60ns
Turn-on time: 80ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+258.90 грн
10+198.93 грн
25+190.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF description 2820281.pdf
IR2011PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2011PBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), DIP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+277.32 грн
10+209.22 грн
25+166.55 грн
50+152.37 грн
100+138.54 грн
250+135.03 грн
500+132.21 грн
1000+127.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF description ir2011.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c49b831663
IR2011PBF
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers 200V high & low-side ,1A,80ns,PDIP8
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+294.55 грн
10+218.36 грн
25+175.11 грн
100+157.53 грн
250+149.09 грн
500+148.39 грн
1000+139.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.