IR2011PBF Infineon Technologies
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 130.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IR2011PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IR2011PBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), DIP, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 1A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: DIP, Eingang: Invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1A, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 80ns, Ausgabeverzögerung: 75ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції IR2011PBF за ціною від 110.07 грн до 304.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IR2011PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Driver 200V 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube |
на замовлення 2788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2011PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP Packaging: Tube Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-PDIP Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 5445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2011PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers 200V high & low-side ,1A,80ns,PDIP8 |
на замовлення 2675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2011PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 200V 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2011PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IR2011PBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), DIP tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DIP Eingang: Invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 80ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 1429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2011PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 200V 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube |
на замовлення 1784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2011PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 200V 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IR2011PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 200V 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IR2011PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP8 Output current: -1...1A Power: 1W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 200V Turn-on time: 80ns Turn-off time: 60ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IR2011PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP8 Output current: -1...1A Power: 1W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 200V Turn-on time: 80ns Turn-off time: 60ns |
товар відсутній |