Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IR2011PBF
IR2011PBF

IR2011PBF INFINEON TECHNOLOGIES

IR2011SPBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -1...1A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-on time: 80ns
Turn-off time: 60ns
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+253.02 грн
10+177.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IR2011PBF INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IR2011PBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), DIP, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 1A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: DIP, Eingang: Invertierend, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1A, Versorgungsspannung, min.: 10V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 80ns, Ausgabeverzögerung: 75ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.

Інші пропозиції IR2011PBF за ціною від 145.41 грн до 385.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IR2011PBF IR2011PBF Infineon Technologies ir2011.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c49b831663 description Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.09 грн
10+219.86 грн
50+191.12 грн
100+170.99 грн
250+162.16 грн
500+156.84 грн
1000+149.96 грн
2500+145.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF IR2011PBF Infineon Technologies infineonir2011dsv0100en.pdf description Driver 200V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+381.93 грн
10+284.25 грн
25+245.17 грн
100+224.17 грн
250+197.10 грн
500+186.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF IR2011PBF Infineon Technologies infineonir2011dsv0100en.pdf description Driver 200V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+385.30 грн
50+286.76 грн
58+247.34 грн
100+226.16 грн
250+198.84 грн
500+187.92 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF IR2011PBF INFINEON 2820281.pdf description Description: INFINEON - IR2011PBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), DIP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Invertierend
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF IR2011PBF Infineon Technologies ir2011.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c49b831663 description Gate Drivers 200V high & low-side ,1A,80ns,PDIP8
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF description ir2011.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c49b831663
IR2011PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+303.09 грн
10+219.86 грн
50+191.12 грн
100+170.99 грн
250+162.16 грн
500+156.84 грн
1000+149.96 грн
2500+145.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF description infineonir2011dsv0100en.pdf
IR2011PBF
Виробник: Infineon Technologies
Driver 200V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+381.93 грн
10+284.25 грн
25+245.17 грн
100+224.17 грн
250+197.10 грн
500+186.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF description infineonir2011dsv0100en.pdf
IR2011PBF
Виробник: Infineon Technologies
Driver 200V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+385.30 грн
50+286.76 грн
58+247.34 грн
100+226.16 грн
250+198.84 грн
500+187.92 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF description 2820281.pdf
IR2011PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2011PBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), DIP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Invertierend
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF description ir2011.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c49b831663
IR2011PBF
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers 200V high & low-side ,1A,80ns,PDIP8
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.