Технічний опис IR2011S IOR
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: High-Side or Low-Side, Number of Drivers: 2, Gate Type: N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.2V, Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A, Part Status: Obsolete, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IR2011S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IR2011S | Виробник : IR |
 09+ |
на замовлення 15523 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IR2011S | Виробник : IR |
9220+ |
на замовлення 683 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IR2011S | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |