
IR2011SPBF Infineon Technologies
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2687+ | 98.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IR2011SPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IR2011SPBF - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 1Aout, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 1A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1A, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 80ns, Ausgabeverzögerung: 75ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IR2011SPBF за ціною від 88.41 грн до 308.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IR2011SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2011SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2011SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2011SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2011SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2011SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2011SPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 80ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2011SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2011SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 3717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2011SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Output current: -1...1A Number of channels: 2 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: tube Supply voltage: 10...20V DC Voltage class: 200V Power: 625mW Turn-on time: 80ns Turn-off time: 60ns Topology: MOSFET half-bridge Operating temperature: -40...125°C |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2011SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Output current: -1...1A Number of channels: 2 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: tube Supply voltage: 10...20V DC Voltage class: 200V Power: 625mW Turn-on time: 80ns Turn-off time: 60ns Topology: MOSFET half-bridge Operating temperature: -40...125°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2011SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
IR2011SPBF Код товару: 39114
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|