IR2101SPBF Infineon Technologies
на замовлення 119035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 203+ | 150.84 грн |
| 500+ | 135.55 грн |
| 1000+ | 125.36 грн |
| 10000+ | 108.11 грн |
| 100000+ | 83.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IR2101SPBF Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel), Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V, Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA, Part Status: Not For New Designs, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IR2101SPBF за ціною від 74.08 грн до 182.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IR2101SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 2396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IR2101SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IR2101SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 3318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2101SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IR2101SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 2396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IR2101SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IR2101SPBF MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 463 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IR2101SPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
Драйвер MOSFET; Uживл, В = 10...20; Тип вх. сигн. = неінвертуючий; Io = 210 мА; Dt = 160 нс; Umax, B = 600; Конфіг = 1 конфігурація з верхнім і нижнім ключами; 2 виходи; Тексп, °С = -40...+125; SOICN-8 |
на замовлення 55 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| IR2101S/PBF | Виробник : IR |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
IR2101SPBF | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IR2101SPBF - IR2101S - GATE DRIVER tariffCode: 85423190 euEccn: TBC hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |