IR2101STR JSMicro Semiconductor
Виробник: JSMicro SemiconductorHigh+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Vmax 700V; Io+/Io- 200mA/400mA; tON/OFF 130/130ns; 10V~20V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR2101S; IR2101STR; IR2101STR JSMICRO UIIR2101s JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 24.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IR2101STR JSMicro Semiconductor
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel), Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V, Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA, Part Status: Obsolete, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IR2101STR за ціною від 35.17 грн до 35.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IR2101STR | Виробник : Infineon |
High+Low Side Non-Inv. Driver, Vmax 600V, Io+/Io- 130/270mA, tON/OFF 160/150ns IR2101STR; IR2101S; IR2101S; IR2101STR UIIR2101sкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IR2101STR | Виробник : XBLW |
Half Bridge 2 IGBT 220mA 82ns 46ns 13V~17.5V 380mA SOP-8 Gate Drivers IR2101STR(XBLW); IR2101STR SOP-8 XBLW UIIR2101s XBLW |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||
|
IR2101STR Код товару: 103357
Додати до обраних
Обраний товар
|
8542 39 90 00 |
товару немає в наявності
|
||||||
|
IR2101STR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||
|
IR2101STR | Виробник : Infineon / IR |
Gate Drivers |
товару немає в наявності |


