IR2101STRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 24410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 49.84 грн |
| 5000+ | 46.89 грн |
| 7500+ | 46.34 грн |
| 12500+ | 42.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IR2101STRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IR2101STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 360mA, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 210mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 160ns, Ausgabeverzögerung: 150ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IR2101STRPBF за ціною від 45.99 грн до 120.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IR2101STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 57500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 57500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2101STRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IR2101STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 360mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 210mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 160ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2101STRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns |
на замовлення 2114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 24461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2114 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 9959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2101STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns |
на замовлення 12465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IR2101STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 360mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 210mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 160ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IR2101STRPBF Код товару: 197056
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
 |
IR2101STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IR2101STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |