
IR2103STRPBF Infineon Technologies

Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 37.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IR2103STRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IR2103STRPBF - Gate-Treiber, Halbbrücke, 600V, 210mA Source, 360mA Sink, Shoot-Through-Schutz, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 360mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 210mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 680ns, Ausgabeverzögerung: 150ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IR2103STRPBF за ціною від 39.18 грн до 125.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IR2103STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2103STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2103STRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 360mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 210mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 680ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2103STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2103STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2103STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2103STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2103STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2103STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 72500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2103STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2103STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2103STRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 360mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 210mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 680ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2103STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2103STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 6513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2103STRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-on time: 680ns Turn-off time: 150ns |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2103STRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-on time: 680ns Turn-off time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 159 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IR2103STRPBF | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IR2103STRPBF | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IR2103STRPBF | Виробник : IRC |
![]() |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
IR2103STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |